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搭载SiC沟槽型栅MOSFET的ALL-SiC模块
随着人们要求电力转换装置进一步高效化，小型化，大容量化，对可满足这些要求的SiC模块产品化的期待也越来越高。富士电机过去通过独创的新封装结构，将*大额定容量1200V/100A的All-SiC模块成功产品化。这一新封装结构实现了SiC模块高性能化和高可靠性。富士电机为扩大额定容量，这次新开发出了大容量新封装结构。在本封装中通过安装兼具低导通电阻和高速开关特性的SiC沟槽型栅MOSFET，实现了额定容量1200V/400A的All-SiC模块。
第7代“X系列”1700V IGBT模块“PrimePACK”
产业，民生，汽车等领域以及可再生能源领域中使用的电力转换装置用大容量IGBT模块的需求正在扩大。在第7代“X系列”IGBT模块系列中，富士电机开发出了新产品“PrimePACK™”。本产品通过改善半导体芯片特性来降低电力损耗，以及使用新开发的高散热绝缘基板来大幅降低热阻。此外，通过提升Tvj功率循环耐量和绝缘用硅胶的耐热性，将连续运行保证温度从过去的150℃升高到175℃，实现了传统技术难以做到的*大额定电流1800A的产品。
车载用大容量IGBT模块“M660”
车载用IGBT模块为了高效利用电池的电力，不仅要降低损耗，还需要进一步小型化、轻量化。同时，也必须实现大容量化。为满足这些要求，富士电机开发了直接水冷式功率模块“M660”。在将传统内部配线的引线焊接方式改为引线框架结构的同时，还采用了改善了特性的RC-IGBT（Reverse-Conducting IGBT：逆导型IGBT）和水冷套一体型的冷却结构，从而实现了通用6 in 1 IGBT模块世界*大容量的额定750V/1200A。富士电机智能制造生活。
本文摘自：网络 日期：2019-03-29
