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富士电机 | 功率半导体 SiC器件
SiC器件
SiC器件具有出色的特性，能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。搭载SiC-SBD的IGBT混合模块X系列/V系列
- 适用高性能芯片
ー低损耗的X系列/V系列IGBT
ー低损耗的SiC-SBD - 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装
All-SiC模块
- 通过采用新的沟槽型MOSFET大幅降低损耗
- 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装
- 封装的低电感化
SiC肖特基势垒二极管
SiC-SBD 2G系列
- 高速开关损耗特性
- 低VF特性：与以往相比（与1G相比） VP约降低15％（650V产品）
- 低IR特性
- 高正向浪涌耐量：与以往相比（与1G相比）IFSM约提高60％
SiC-SBD 1G Series
- 高速开关损耗特性
- 低VF特性
- 低IR特性
- 高反向浪涌耐量
